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?结晶器保护渣的三大性能

1、熔点

通过拉速与钢种的不同，结晶器保护渣的熔点可以在900°C～1200℃之间进行变动的，决定熔点的是渣膜随铸坯出结晶器的时候必须要保持液态。通常把半球点的温度当作熔点的参考温度的。

2、黏度

黏度是保护渣的重要的性能之一，它和连铸工艺的参数是密切相关的，在一般情况下，保护渣的黏度和拉坯的速度是呈现反比的关系的，是可以让结晶器壁和铸坯之间的渣膜保持一定的厚度的。如：

1）如果黏度太大，因为流动性比较差，渣膜很薄或者是不连续的，也不利于夹杂物的扩散与溶解的；

2）黏度太小，那么就会让渣膜太厚而导致不均匀，影响热量向结晶器进行传递。

3）结晶器保护渣的黏度可以在0.1～1.0Pa·s间变动的。

3、熔化速度

保护渣的熔化速度是保证熔渣层的厚度，渣膜厚度与渣耗的重要指标的，而影响熔化速度的重要因素是炭质材质的种类与含量的，随着其含量的增加，熔化速度就会减小的。适当的熔化速度要可以让结晶器内的钢液面上维持6～15mm厚的液渣层，并且可以形成厚度适当的渣膜的。下面是两种蒸发结晶器的使用案例，在蒸发结晶的过程中运作的方式不同，蒸发动力也不同。但是到现在还是没有测定熔化速度的统一标准的。全自动mvr蒸发器节能工艺,全自动mvr蒸发器节能工艺

效蒸发器的一加热器必须安装安全阀,一效加热器内的蒸汽压力不得超过0.01Mpa.应经常检查安全阀有无故障.不可大意. 在任何情况下停车都要关闭蒸汽阀门.当蒸发器循环泵出现故障停止运转时,晶浆浓度越高，单位体积结晶蒸发器中结晶表面积越大，结晶生长速率越快，有利于提高结晶生产速度(产量)。但晶浆浓度过高时，悬浮液的流动性差，混合操作困难。晶浆浓度应在操作条件允许的范围内取大值。2）打开低封头后，拧开转子U型槽底部螺栓，每四个月检查刮板更换刮板。在间歇操作中，晶种的添加量应根据终结晶产品的大小，满足晶浆浓度生产要求。全自动mvr蒸发器节能工艺,全自动mvr蒸发器节能工艺

结晶蒸发器设备新工艺流程讲述

1.  换热器的物料性质。物料和设备特性匹配好，当然是可用的。

2.  过饱和度控制在介稳区以内：对于晶体生长，必须严格控制过饱和度的产生和消除。也就是说，将操作保持在介稳区域。对于大多数产品，可以根据溶解度和温度的关系，粗略控制在过冷度为△T=1-3℃或“允许过冷度”的一半。溶液浓度/饱和浓度=1.02-1.05。若以氯化钠产品来估算，循环物料和进料之比约在100-200:1之间。△C=P/Q，P-晶体产品产量kg/h,Q-循环泵流量，m3/h, △C-过饱和度，kg/m3。强烈建议自己试验测定介稳区宽度，介稳区宽度分为初级成核和二次成核介稳区宽度，工业化中，主要考虑是二次成核介稳区宽度。（较低温度下得到晶体）明白以上的蒸发结晶和冷却结晶的原理之后，大家就会明白二者的不同了吧。文献上发表的大多是初级成核介稳区宽度，工业化过程介稳区宽度控制在初级成核介稳区宽度的10%-30%之间。一般情况下，含有结晶水的介稳区宽度比无水的无机物要宽，有机物系比有机物系宽。过饱和度不仅仅有大小，还有分布。尤其注意混合、换热界面、搅拌桨叶附近等过饱和度的大小，机械混合可以减小亚稳区的宽度。

3.  控制过饱和度水平，使过饱和度主要以生长的方式消耗，避免初级成核，控制二次成核。通常成核晶体的大小为0.1到10微米。

4.  避免清液开车。开车时，加入晶种。比如加入产品量的10%的细晶种。

5.  晶体生长速率：溶液结晶大约在0.1-0.8 mm/h ，熔融结晶比溶液结晶快1到2个数量级。对于大多数系统来说，10-7m/s的增长速率发生在30℃左右，但对于NaCl来说，这个速率直到70℃才会出现。例如，在10-7m/s的生长速度下，晶体在3小时内生长到2 mm；如果生长速度为10-9m/s，则晶体生长到2 mm需要10天。由于热惯性的存在，实际水温要比设定温度上冲2度左右，使用时可修正设定值，如：您需要水温1/3-1/2。

6.  过度混合通常会抑制生长。由于晶体撞击泵和混合器叶轮的二次“接触成核”，混合也会影响晶粒尺寸分布CSD，特别是在反应结晶中。全自动mvr蒸发器节能工艺